Laboratórium elektrickej, optickej a analytickej charakterizácie mikroelektronických, senzorických a fotonických štruktúr

PUBLIKOVANÉ 11. september 2015

Laboratórium elektrickej, optickej a analytickej charakterizácie mikroelektronických, senzorických a fotonických štruktúr
Fakulta Elektrotechniky a informatiky STU

Ústav: Ústav elektroniky a fotoniky
Kontaktná osoba: prof.Ing. Jaroslav Kováč,PhD.
Kontakt: 02-6029 1652
e-mail: jaroslav.kovac@stuba.sk

Charakteristika:

Technické vybavenie/zariadenia

parametrický analyzátor s programovateľným riadením ‑ Agilent 4155C, ktorý obsahuje 4 zabudované precízne zdroje ± 100V, ± 0,1 A (rozlíšenie 100 mV, 100 fA), s možnosťou impulzného režimu 500 ms-100 ms. Výkonový blok ± 200 V, ± 1 A a pre dynamické merania impulzný generátor PGU s rozsahom ± 40 V, pulz 1 ms ‑ 10.
hrotový prípravok s mikroposuvmi (Süss Microtech) pre meranie priamo na substráte.
tranzitný spektroskop hlbokých hladín (DLTS) ‑ BIORAD DL8000, meranie koncentrácie pascí a určenie parametrov prímesí v polovodičových štruktúrach. Rozsah teplôt 77 K – 450 K a šírka pulzu 1 µs – 1000 s
mikro‑Ramanovský spektroskop UV‑VIS ‑ MonoVista 750 CRS, s využitím budiacich laserov He-Cd (325 nm, ~50 mW) a a Ar⁺ (514/488 nm, ~100 mW) s možnosťou preladenia. Chladený EMCCD s eXcelon detektor a konfokálny Ramanovský mikroskop BX51 Olympus (prevádzkovaný v Medzinárodnom laserovom centre)
spektrálny elipsometer ‑ PhE-102, v rozsahu vlnových dĺžok 250 – 1100 nm a volitelným uhlom merania v rozsahu 10 -90°
zariadenie na meranie fluorescencie ‑ Quantaurus‑Tau, automatizované fotoluminiscenčné alebo fluorescenčné meranie v časovom rozsahu 2.5 ns – 50 μs s rozlíšením < 1 ns a v spektrálnom rozsahu 380 – 1030 nm
mikroskop atomárnych síl (AFM) ‑ Park systems XE-100, s laterálnym rozsahom max. 45x45 mm a horizontálnym rozsahom max. 12 mm. Možnosť využiť špeciálne módy EFM, I‑AFM, MFM, SCM alebo STM.

Technológie

čisté priestory s triedou čistoty ISO 5 (americká trieda 100) pre litografické procesy
rast oxidových vrstiev a reaktívne iónové leptanie – PlasmalabSystem 100 a Plasma Lab 80 Plus rast oxidových (SiO2, SiOxNy) a/alebo nitridových vrstiev (SiN, Si3N4)
zariadenie pre naparovanie tenkých vrstiev ‑ PVD 75, s možnosťou kombinácie termického odparovania, odparovania elektrónovým zväzkom, prípadne magnetrónovým odprašovaním
modulárne litografické zariadenie ‑ Süss MA6, UV litografia s rozlíšením < 1 mm a UV nanoimprint litografia s rozlíšením < 100 nm predurčená na výskumné účely v oblasti nanotechnólogií, fotoniky, solárnych článkov a SMART senzorických systémov
kontaktovanie prvkov na pätice

Servis/služby

analýza povrchovej morfológie nanometrových rozmerov pomocou atómového silového mikroskopu s možnosťou využitia špecálnych módov EFM, I‑AFM, MFM, SCM alebo STM.
charakterizácia optických vlastností štruktúr a prvkov metódou Ramanovskej spektroskopie, fotoluminiscencie, fluorescencie a elipsometrie.
charakterizácia elektrických vlastností mikro a optoelektronických prvkov pomocou parametrického analyzátora obvodov a tranzitného spektroskopu hlbokých hladín (DLTS)
technológia výroby a osadenia prvkov zo substrátov do pätíc v menších množstvách určených predovšetkým na výskumné účely vrátane litografie, rastu oxidov a kontaktných vrstiev, rezania, osádzania a kontaktovania na päticiach.

Vzdelávanie

komplexný vzdelávací proces zameraný na fyziku, technológie a diagnostiku pokrokových polovodičých štruktúr a prvkov, na optimalizáciu technologických procesov a charakterizáciu vlastností perspektívnych mikro/nano štruktúr a prvkov, najmä tranzistorov typu HEMT, solárnych článkov, optoelektronických prvkov a senzorovň